意法半導體最新推出適用於氮化鎵(GaN)應用的高壓半橋閘極驅動器，進一步強化設計彈性與功能，有助提升電源轉換效率與系統可靠性。
全新STDRIVEG610與STDRIVEG611提供兩種選擇，協助設計者根據應用需求管理GaN元件，應用範疇涵蓋消費性與工業領域的電源轉換與馬達控制，提升電源效率、功率密度與整體耐用性。
STDRIVEG610支援300ns的極短啟動時間，適合應用於LLC或ACF等轉換器架構，可在突發模式(burst mode)下確保精準控制的關斷時間。
STDRIVEG611則針對馬達控制中的硬切換應用進行設計，新增高側欠壓鎖定(high-side UVLO)與智慧型過電流關斷保護等功能。
兩款驅動器均支援硬切換與軟切換架構，內建交叉導通防護機制。STDRIVEG610可提升電源轉接器、充電器與功率因數修正(PFC)電路的效能；STDRIVEG611則可同時節省電路板空間並提高效率與可靠性，適用於家電馬達、幫浦與壓縮機、工業伺服驅動器與工廠自動化等應用。
為簡化設計，兩款裝置內建高側自舉二極體，並整合高側與低側6V線性穩壓器，具備高電流驅動與極短的傳遞延遲，兩者延遲差異控制在10ns以內。每顆驅動器提供獨立的下拉(sink)與上拉(source)驅動路徑，吸收端具備2.4A/1.2Ω參數，驅動端為1.0A/3.7Ω，有助於達成最佳驅動效率。
內建的UVLO保護機制可防止上下兩組600V GaN功率開關在效率不佳或不安全的條件下運作，提升系統穩定性。兩款驅動器也具備過溫保護功能，並具備高達 ±200V/ns的高dV/dt雜訊耐受能力。輸入腳位支援3.3V至20V的寬電壓範圍，可簡化控制器介面設計。裝置亦設有待機腳位，可在系統閒置或進入突發模式時降低耗電，並配置獨立電源接地端，方便進行Kelvin源極驅動或連接電流分流電阻。
STDRIVEG610與STDRIVEG611除了透過高度整合的功能協助降低BOM成本，亦採用精巧的4mm x 5mm QFN封裝，可節省PCB空間。兩款產品目前已進入量產階段。
意法半導體亦同步推出EVLSTDRIVEG610Q與EVLSTDRIVEG611評估板，加速產品開發流程。兩款評估版可立即使用，整合600V高速半橋閘極驅動器與兩顆ST自家SGT120R65AL增強型GaN高電子遷移率電晶體(HEMT)。
